- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18430 > NTB75N06T4G (ON Semiconductor)MOSFET PWR N-CHAN 60V 75A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTB75N06T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CHAN 60V 75A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTB75N06T4GOSCT |
NTP75N06, NTB75N06
PACKAGE DIMENSIONS
TO?220
CASE 221A?09
ISSUE AA
4
B
F
T
S
C
?T?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
H
Q
Z
L
V
G
1 2 3
N
D
A
K
U
R
J
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
INCHES
MIN MAX
0.570 0.620
0.380 0.405
0.160 0.190
0.025 0.035
0.142 0.147
0.095 0.105
0.110 0.155
0.018 0.025
0.500 0.562
0.045 0.060
0.190 0.210
0.100 0.120
0.080 0.110
0.045 0.055
0.235 0.255
0.000 0.050
0.045 ???
??? 0.080
MILLIMETERS
MIN MAX
14.48 15.75
9.66 10.28
4.07 4.82
0.64 0.88
3.61 3.73
2.42 2.66
2.80 3.93
0.46 0.64
12.70 14.27
1.15 1.52
4.83 5.33
2.54 3.04
2.04 2.79
1.15 1.39
5.97 6.47
0.00 1.27
1.15 ???
??? 2.04
http://onsemi.com
6
STYLE 5:
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC535-38.7 | OSC 38.7 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 1241.6632.5120065 | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 250V |
| FXO-HC535-40 | OSC 40 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| B32620A3473J289 | FILM CAP 0.0470UF 5% 250V |
| FXO-HC535-40.68 | OSC 40.68 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB794 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
| NTB795 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
| NTB7A16 | 功能描述:LCD 触摸面板 RoHS:否 制造商:3M Touch Systems 类型:P-MVA 大小:22 in 绝缘电阻: 封装:Bulk |
| NTB85N03 | 功能描述:MOSFET 28V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB85N03G | 功能描述:MOSFET 28V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。