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参数资料
| 型号： | NTD14N03RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 115pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.04W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD14N03RT4OSDKR |
NTD14N03R, NVD14N03R
TYPICAL CHARACTERISTICS
14
12
10
10 V
8V
7V
6V
5V
4.5 V
14
12
10
V DS ≥ 10 V
8
4V
8
6
4
3.5 V
6
4
T J = 25 ° C
2
0
0
2
4
6
3V
V GS = 2.5 V
8
10
2
0
0
1
T J = 125 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.20
0.16
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = 10 V
0.20
0.16
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 125 ° C
0.12
0.08
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.12
0.08
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
T J = ? 55 ° C
0.04
0.04
V GS = 4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0
2
4
6
8
10
12
14
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
1.8
1.6
I D = 5 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
1.4
1.2
1
0.8
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PVG3A500C01R00 | TRIMMER 50 OHM 0.25W SMD |
| F950G337MTAAM1Q | CAP TANT 330UF 4V 20% 1210 |
| F950G227MTAAM1Q | CAP TANT 220UF 4V 20% 1210 |
| ABM8-13.000MHZ-B2-T | CRYSTAL 13.0000 MHZ 18PF SMD |
| QXK2J104KTPTZH | CAP FILM 0.1UF 630VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD14N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD15 | 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS |
| NTD15N06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts |
| NTD15N06-001 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 15A IPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD15N06-1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA |
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