参数资料
型号: NTD14N03RT4
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
产品变化通告: Product Discontinuation 27/Jun/2007
标准包装: 10
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 95 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 115pF @ 20V
功率 - 最大: 1.04W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 标准包装
其它名称: NTD14N03RT4OSDKR
NTD14N03R, NVD14N03R
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
160
120
C iss
C rss
C iss
6
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
80
C oss
40
C rss
2
I D = 5 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 5 A
V GS = 10 V
t r
70
60
50
V GS = 0 V
40
10
t d(off)
30
t d(on)
t f
20
10
T J = 150 ° C
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
100
10
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
10 m s
100 m s
1
0.1
0 V < V GS < 20 V
Single Pulse
T A = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
10 ms
dc
0.01
0.1
Package Limit
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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