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参数资料
| 型号： | NTD15N06-001 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 15A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 31/Mar/2005 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD15N06-001OS |
NTD15N06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 60 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
60
?
?
?
?
68
54.4
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage (Note 3)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Threshold Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance (Note 3)
(V GS = 10 Vdc, I D = 7.5 Adc)
Static Drain ? to ? Source On ? Voltage (Note 3)
(V GS = 10 Vdc, I D = 15 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 7.5 Adc, T J = 150 ° C)
Forward Transconductance (Note 3) (V DS = 7.0 Vdc, I D = 6.0 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
V DS(on)
g FS
2.0
?
?
?
?
?
2.9
6.3
76
1.2
1.08
6.7
4.0
?
90
1.62
?
?
Vdc
mV/ ° C
m W
Vdc
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
325
450
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
108
34
150
70
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
10
15
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 48 Vdc, I D = 15 Adc,
V GS = 10 Vdc, R G = 9.1 W ) (Note 3)
t r
t d(off)
t f
?
?
?
25
14
13
70
50
50
Gate Charge
(V DS = 48 Vdc, I D = 15 Adc,
V GS = 10 Vdc) (Note 3)
Q T
Q 1
Q 2
?
?
?
12
4.1
4.5
20
?
?
nC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 15 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 3)
(I S = 15 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
(I S = 15 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s) (Note 3)
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
?
?
0.96
0.83
35
27
7.4
0.050
1.15
?
?
?
?
?
Vdc
ns
m C
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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