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参数资料
| 型号： | NTD15N06L-001 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 15A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 31/Mar/2005 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 7.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD15N06L-001OS |
NTD15N06L
in the accompanying graph (Figure 12). Maximum energy at
currents below rated continuous I D can safely be assumed to
equal the values indicated.
SAFE OPERATING AREA
100
70
10
V GS = 15 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 m s
60
50
40
I D = 11 A
1
10 ms
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
30
20
10
0.1
0.1
1
10
100
0
25
50 75 100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME ( m s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD18N06L-001 | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
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| NTD20N06L-001 | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD15N06L-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level |
| NTD15N06L-1G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTD15N06LG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTD15N06LT4 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 15A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD15N06LT4G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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