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参数资料
| 型号： | NTD20P06LT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 7.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD20P06LT4GOSDKR |
NTD20P06L, NTDV20P06L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 60
? 74
? 64
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = ? 60 V
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
? 1.0
? 10
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
V GS = V DS , I D = ? 250 m A
? 1.0
? 1.5
? 2.0
V
Gate Threshold Temperature Coefficient
V GS(TH) /T J
3.1
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = ? 5.0 V, I D = ? 7.5 A
0.130
0.150
W
V GS = ? 5.0 V, I D = ? 15 A
0.143
Forward Transconductance
g FS
V DS = ? 10 V, I D = ? 7.5 A
11
S
Drain ? to ? Source On ? Voltage
V DS(on)
V GS = ? 5.0 V,
I D = ? 7.5 A
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
? 1.2
? 1.9
V
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
740
1190
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
V GS = 0 V, f = 1 MHz, V DS = ? 25 V
207
66
300
120
Total Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q G(TOT)
Q GS
Q GD
V GS = ? 5.0 V, V DS = ? 48 V,
I D = ? 18 A
15
4.0
7.0
26
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
11
20
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = ? 5.0 V, V DD = ? 30 V,
I D = ? 15 A, R G = 9.1 W
90
28
70
180
50
135
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V, I S = ? 15 A
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
1.5
1.3
2.5
V
Reverse Recovery Time
t RR
60
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, d IS /d t = 100 A/ m s,
I S = ? 12 A
39
21
Reverse Recovery Charge
Q RR
0.13
nC
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
http://onsemi.com
2
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参数描述 |
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