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参数资料
| 型号： | NTD20P06LT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 7.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD20P06LT4GOSDKR |
NTD20P06L, NTDV20P06L
1000
350
V GS = ? 15 V
Single Pulse
300
I D = ? 15 A
100
T C = 25 ° C
100
250
200
10
1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
10 ms
1
dc
150
100
50
0
0.1
1 10
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
100
25
50 75 100 125
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
150
10
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
D = 0.5
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Device
NTD20P06LG
NTD20P06LT4G
NTDV20P06LT4G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A121L21CWZQ | SWITCH TOGGLE SPDT SOLDER LUG |
| FKA000007 | OSC 100MHZ 2.5V SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD20P06LT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 15.5A D-PAK |
| NTD22 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
| NTD23N03R | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD23N03R-001 | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD23N03R-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:23 Amps, 25 Volts, N−Channel DPAK |
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