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参数资料
| 型号： | NTD23N03R-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.76nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD23N03R-1GOS |
NTD23N03R
400
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
8
300
C iss
C rss
C iss
6
Q T
V GS
200
4
Q 1
Q 2
C oss
100
C rss
2
I D = 6 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
10
V DS = 10 V
I D = 6 A
V GS = 10 V
t r
t d(off)
10
8
6
4
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
t d(on)
t f
2
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10
10 m s
1
100 m s
1 ms
0.1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
10 ms
dc
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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参数描述 |
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