参数资料
型号: NTD23N03R-1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
产品变化通告: Product Discontinuation 03/Apr/2007
标准包装: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.76nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 225pF @ 20V
功率 - 最大: 1.14W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: NTD23N03R-1GOS
NTD23N03R
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369AA ? 01
ISSUE O
B
C
? T ?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
V
S
F
1
R
4
2
3
L
A
H
J
E
U
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
H
J
L
R
S
U
V
Z
INCHES
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.025 0.035
0.018 0.024
0.030 0.045
0.386 0.410
0.018 0.023
0.090 BSC
0.180 0.215
0.024 0.040
0.020 ???
0.035 0.050
0.155 ???
MILLIMETERS
MIN MAX
5.97 6.22
6.35 6.73
2.19 2.38
0.63 0.89
0.46 0.61
0.77 1.14
9.80 10.40
0.46 0.58
2.29 BSC
4.57 5.45
0.60 1.01
0.51 ???
0.89 1.27
3.93 ???
D 2 PL
0.13 (0.005)
M
T
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20
3.0
0.244
2.58
0.101
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
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