参数资料
型号: NTD23N03RT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET PWR N-CHAN 25V 23A DPAK
产品变化通告: Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.76nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 225pF @ 20V
功率 - 最大: 1.14W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NTD23N03RT4GOSCT
NTD23N03R
20
10 V
16
12
8
4.5 V
8V
6V
5V
4V
3.5 V
3V
20
16
12
8
V DS ≥ 10 V
T J = 25 ° C
4
V GS = 2.5 V
4
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
6
0.20
0.16
0.12
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = 10 V
0.20
0.16
0.12
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
0.08
T J = 125 ° C
0.08
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.04
0
0
4
8
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
12
16
20
0.04
0
0
4
8
T J = ? 55 ° C
12
16
20
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
1.8
1.6
1.4
I D = 6 A
V GS = 10 V
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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