参数资料
型号: NTD23N03RT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET PWR N-CHAN 25V 23A DPAK
产品变化通告: Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.76nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 225pF @ 20V
功率 - 最大: 1.14W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NTD23N03RT4GOSCT
NTD23N03R
10
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
P (pk)
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTD23N03RG
NTD23N03R ? 1G
NTD23N03RT4
NTD23N03RT4G
Device
Package
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK ? 3
(Pb ? Free)
DPAK
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units/Rail
75 Units/Rail
2500 Tape & Reel
2500 Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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