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参数资料
| 型号： | NTD2955G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD2955G-ND NTD2955GOS |
NTD2955, NVD2955
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
25
20
T J = 25 ° C
V GS = -10 V
-9.5 V
-9 V
-8 V
-7 V
24
22
20
18
V DS ≥ ? 10 V
T J = - 55 ° C
25 ° C
125 ° C
16
15
-6.5 V
14
10
-6 V
-5.5 V
12
10
8
5
-5 V
6
4
2
0
0
1 2 3 4 5
6 7 8 9
10
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.50
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.250
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.45
V GS = ? 10 V
0.225
T J = 25 ° C
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
T J = 125 ° C
25 ° C
0.200
0.175
0.150
0.125
V GS = ? 10 V
- 15 V
0.15
0.10
0.05
- 55 ° C
0.100
0.075
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
0.050
0
3
6
9
12 15
18
21
24
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
- I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = ? 10 V
I D = ? 6 A
1000
100
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
10
100 ° C
0
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD2955P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??60 V, a??12 A, Pa??Channel DPAK |
| NTD2955PT4G | 功能描述:MOSFET PFET 60V 12A 0.155R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD2955T4 | 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD2955T4G | 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD2955T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 12A D-PAK |
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