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参数资料
| 型号： | NTD2955G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD2955G-ND NTD2955GOS |
NTD2955, NVD2955
1200
1000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
12.5
V DS
I D = 12 A
T J = 25 ° C
60
50
800
C rss
10
Q T
40
V GS
600
C iss
7.5
Q GS
Q GD
30
400
5
20
200
C oss
2.5
10
C rss
0
10
5
0
5
10
15
20
25
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
16
-V GS
-V DS
Q T , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 30 V
I D = ? 12 A
V GS = ? 10 V
T J = 25 ° C
15
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
t r
t d(off)
10
t d(on)
5
1
1
10
100
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
100
10
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V GS = ? 15 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100 m s
1 ms
I S
di/dt
1
10 ms
dc
t a
t rr
t b
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
TIME
0.1
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10
100
t p
I S
0.25 I S
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| NTD2955P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??60 V, a??12 A, Pa??Channel DPAK |
| NTD2955PT4G | 功能描述:MOSFET PFET 60V 12A 0.155R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD2955T4 | 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD2955T4G | 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD2955T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 12A D-PAK |
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