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参数资料
| 型号： | NTD3055L170-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 4.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 275pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD3055L170, NVD3055L170
20
V GS = 10 V
16
V DS ≥ 10 V
16
12
8V
6V
5V
12
8
8
4V
4
3.5 V
3V
4
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
4
6
8
10
12
14
16
18
0
4
8
12
16
20
24
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.2
2
1.8
I D = 4.5 A
V GS = 5 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.6
1.4
1.2
1
0.8
100
10
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABM3C-12.288MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 12.288 MHZ 18PF SMD |
| NTD3055-150G | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
| ASEMPC-12.000MHZ-T3 | OSC 12.000 MHZ CMOS MEMS SMD |
| ASEMPC-11.0592MHZ-T3 | OSC 11.0592 MHZ CMOS MEMS SMD |
| NTD3055L170 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD3055L170G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055L170T4 | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055L170T4G | 功能描述:MOSFET 60V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD3055L170T4H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTD30N02 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30Amps, 24Volts N-Channel DPAK |
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