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参数资料
| 型号： | NTD3055L170-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 4.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 275pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD3055L170, NVD3055L170
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK (SINGLE GAUGE)
CASE 369C ? 01
ISSUE D
L3
1
E
b3
4
2
3
A
D
B
DETAIL A
A
C
c2
H
Z
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. THERMAL PAD CONTOUR OPTIONAL WITHIN DI-
MENSIONS b3, L3 and Z.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
FLASH, PROTRUSIONS, OR BURRS. MOLD
FLASH, PROTRUSIONS, OR GATE BURRS SHALL
NOT EXCEED 0.006 INCHES PER SIDE.
5. DIMENSIONS D AND E ARE DETERMINED AT THE
OUTERMOST EXTREMES OF THE PLASTIC BODY.
6. DATUMS A AND B ARE DETERMINED AT DATUM
PLANE H.
INCHES
MILLIMETERS
L4
b2
e
b
0.005 (0.13)
M
C
c
L2
GAUGE
PLANE
L
L1
DETAIL A
ROTATED 90 5 CW
A1
H
C
SEATING
PLANE
DIM
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
E
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Z
MIN MAX
0.086 0.094
0.000 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.180 0.215
0.018 0.024
0.018 0.024
0.235 0.245
0.250 0.265
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.050
??? 0.040
0.155 ???
MIN MAX
2.18 2.38
0.00 0.13
0.63 0.89
0.76 1.14
4.57 5.46
0.46 0.61
0.46 0.61
5.97 6.22
6.35 6.73
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40 1.78
2.74 REF
0.51 BSC
0.89 1.27
??? 1.01
3.93 ???
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20 3.00
0.244 0.118
2.58
0.102
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
5.80
0.228
1.60
0.063
6.17
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
7
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参数描述 |
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