- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18536 > NTD30N02G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 24V 30A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTD30N02G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 30A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
NTD30N02
60
50
40
V GS = 9 V
8V
7V
T J = 25 ° C
5V
4.6 V
60
50
40
V DS ≥ 10 V
30
5.4 V
6V
4.2 V
30
4V
20
3.4 V
3.6 V
20
T J = 25 ° C
10
3V
10
T J = 100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.04
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.07
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
I D = 15 A
T J = 25 ° C
0.06
T J = 25 ° C
0.03
0.05
0.02
0.04
V GS = 4.5 V
0.03
0.01
0.02
V GS = 10 V
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
10
20
30
40
50
60
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = 15 A
V GS = 10 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1
1
0.8
0.1
T J = 100 ° C
? 50
0.6
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
4
8
12
16
20
24
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABM3C-14.7456MHZ-D4Y-T | CRYSTAL 14.7456 MHZ 18PF SMD |
| NTD3055L170G | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
| P170S-FC15BR100K | POT ROTARY 100K OHM 17MM SW SLDR |
| P110KH-0Y20BR10K | POT ROTARY 10K OHM 11MM |
| 227-1221-3 | TOOL DIE SET FERRULE RG-174/316 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD30N02T4 | 功能描述:MOSFET N-CH 24V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD30N02T4G | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTD32 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述:Tape & Reel |
| NTD32N06 | 功能描述:MOSFET 60V 32A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD32N06/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 32 Amps， 60 Volts |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。