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参数资料
| 型号： | NTD4302-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.04W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4302
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
40
30
20
10
V GS = 4 V
V GS = 4.4 V
V GS = 4.6 V
V GS = 5 V
V GS = 7 V
V GS = 10 V
V GS = 2.8 V
T J = 25 ° C
V GS = 3.8 V
V GS = 3.4 V
V GS = 3.2 V
V GS = 3.0 V
60
50
40
30
20
10
V DS > = 10 V
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
3
4
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.1
0.075
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.015
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.01
0.05
0.025
0.005
V GS = 10 V
0
0
2
4
6
8
10
0
0.00E+00
1.00E+01
2.00E+01
3.00E+01
4.00E+01
5.00E+01
6.00E+01
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs.
Gate ? To ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = 18.5 A
V GS = 10 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1
0.8
100
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 252B104A40NA | POT JOYSTICK 100K OHM |
| 252A104A40NA | POT JOYSTICK 100K OHM |
| B32560J6223K289 | FILM CAP 22NF 10% 400V |
| 252B503A40NA | POT JOYSTICK 50K OHM |
| 252A503A40NA | POT JOYSTICK 50K OHM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4302G | 功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4302G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTD4302T4 | 功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4302T4G | 功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4404N | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 85 A,24V N-CH |
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