- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18533 > NTD4302-1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTD4302-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.04W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4302
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
100 m s
di/dt
10
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1 ms
10 ms
I S
t a
t rr
t b
TIME
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
t p
I S
0.25 I S
1
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1000
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
DUTY CYCLE
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
MOUNTED TO MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
100
10
0.2
0.1
0.05
0.02
D = 0.5
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JA (t) = r(t) R q JA
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T A = P (pk) R q JA (t)
0.01
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (seconds)
Figure 13. Thermal Response ? Various Duty Cycles
ORDERING INFORMATION
NTD4302G
NTD4302 ? 1G
NTD4302T4G
Device
Package Type
DPAK
DPAK ? 3
DPAK
Package
369C
(Pb ? Free)
369D
(Pb ? Free)
369C
(Pb ? Free)
Shipping ?
75 Units / Rail
75 Units / Rail
2500 Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 252B104A40NA | POT JOYSTICK 100K OHM |
| 252A104A40NA | POT JOYSTICK 100K OHM |
| B32560J6223K289 | FILM CAP 22NF 10% 400V |
| 252B503A40NA | POT JOYSTICK 50K OHM |
| 252A503A40NA | POT JOYSTICK 50K OHM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4302G | 功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4302G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTD4302T4 | 功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4302T4G | 功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4404N | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 85 A,24V N-CH |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。