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参数资料
| 型号： | NTD4302-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.04W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4302
TYPICAL CHARACTERISTICS
6000
12.5
30
5000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
V D
Q T
25
4000
7.5
20
3000
2000
C rss
C iss
5
Q 1
Q 2
V GS
15
1000
0
10
C rss
V GS 0 V DS
10
C oss
20
30
2.5
0
0
10
20
30
40
I D = 2 A
T J = 25 ° C
50
10
0
60
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 24 V
I D = 18.5 A
V GS = 10 V
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
100
t f
t d(off)
t r
10
5
10
1
t d(on)
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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