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参数资料
| 型号： | NTD4809NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1456pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD4809NT4GOSDKR |
NTD4809N, NVD4809N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2500
2000
1500
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
C iss
12
11
10
9
8
7
Q T
6
1000
C rss
5
4
Q 1
Q 2
0 V < V GS < 11.5 V
T J = 25 ° C
500
0
10
5
V GS
0
C rss
V DS
5
10
15
20
C oss
25
3
2 I D = 30 A
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213141516171819202122232425 26
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
30
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t d(off)
20
15
10
t r
t d(on)
t f
10
5
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
120
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 15 A
100
10
10 m s
100 m s
100
80
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T A = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
60
40
20
0.01
0.01
PACKAGE LIMIT
0.1
1
10
100
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4810NHT4G | MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK |
| NTD4810NT4G | MOSFET N-CHAN 10.8A 30V DPAK |
| NTD4813N-35G | MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK |
| NTD4813NHT4G | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK |
| NTD4815NHT4G | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4809NT4H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTD4810N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4810N-1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 54A 10MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4810N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 54A 10MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4810NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 54 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
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