- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录487 > NTD4810NT4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CHAN 10.8A 30V DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTD4810NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 10.8A 30V DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTD4810NT4GOSCT |
NTD4810N, NVD4810N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2000
V DS = 0 V V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
12
11
10
Q T
1500
1000
C iss
9
8
7
6
C rss
5
4
Q 1
Q 2
0 V < V GS < 11.5 V
T J = 25 ° C
500
0
10
5
V GS
0
C rss
V DS
5
10
15
20
C oss
25
3
2 I D = 30 A
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213 141516 171819 202122
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
30
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t d(off)
20
15
10
t r
t d(on)
t f
10
5
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
110
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
I D = 14 A
100
10 m s
90
80
10
1
0.1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4813N-35G | MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK |
| NTD4813NHT4G | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK |
| NTD4815NHT4G | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| NTD4815NT4G | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK |
| NTD4854NT4G | MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4813N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4813N-1G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4813N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4813NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4813NH-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。