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参数资料
| 型号： | NTD4856N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2241pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.33W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4856N, NVD4856N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
3000
2800
2600
2400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
Q T
2200
2000
1800
8
1600
1400
6
V GS
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C rss
C oss
5
10
15
20
25
4
2
0
0
Q 1
4
8
Q 2
12
16
20
24
28
I D = 30 A
T J = 25 ° C
32 36
40
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
t d(off)
t f
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
15
10
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
200
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
180
I D = 19 A
100
10 m s
100 m s
160
140
120
25
10
1
0.1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
1 ms
10 ms
dc
100
100
80
60
40
20
0
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3852A-202-252AL | POT 2.5K OHM 3/4" RD CERM |
| NTD4813NH-1G | MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK |
| AV021003C980K | SWITCH PUSH SPST-NO 2A 48V |
| NTD4855N-35G | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK |
| 513-0109-001 | SW SNAP MOM SPST NO 3A 3/4X1" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4856N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4856NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4857N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 78 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4857N-1G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4857N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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