- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18485 > NTD4856N-1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTD4856N-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2241pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.33W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4856N, NVD4856N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME ( m s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Device
NTD4856NT4G
NTD4856N ? 1G
NTD4856N ? 35G
NVD4856NT4G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
IPAK
(Pb ? Free)
IPAK Trimmed Lead
(3.5 " 0.15 mm)
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3852A-202-252AL | POT 2.5K OHM 3/4" RD CERM |
| NTD4813NH-1G | MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK |
| AV021003C980K | SWITCH PUSH SPST-NO 2A 48V |
| NTD4855N-35G | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK |
| 513-0109-001 | SW SNAP MOM SPST NO 3A 3/4X1" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4856N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4856NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4857N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 25 V, 78 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4857N-1G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4857N-35G | 功能描述:MOSFET NFET 25V 78A 0.0057R DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。