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参数资料
| 型号： | NTD4860NA-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1308pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4860N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R θ JC (t) = r(t) R θ JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) -- T C = P (pk) R θ JC (t)
0.01
1.0E--05
1.0E--04
1.0E--03
1.0E--02
1.0E--01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME ( m s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTD4860NT4G
NTD4860N--1G
NTD4860N--35G
Device
Package
DPAK
(Pb--Free)
IPAK
(Pb--Free)
IPAK Trimmed Lead
(3.5 ? 0.15 mm)
(Pb--Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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