- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录487 > NTD4909NT4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTD4909NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1314pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.37W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD4909NT4G-ND NTD4909NT4GOSTR |
NTD4909N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.9
0.8
1.1
V
Reverse Recovery Time
t RR
30
ns
Charge Time
Discharge Time
ta
tb
V GS = 0 V, dIs/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
16
14
Reverse Recovery Time
Q RR
20
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance (Note 7)
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.99
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK (Note 7)
Gate Inductance (Note 7)
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
4.9
Gate Resistance
R G
1.0
2.0
W
7. Assume terminal length of 110 mils.
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD4909NT4G
NTD4909N ? 1G
NTD4909N ? 35G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
IPAK
(Pb ? Free)
IPAK Trimmed Lead
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4910NT4G | MOSFET N-CH 30V 37A DPAK |
| NTD4913NT4G | MOSFET N-CH 30V 32A DPAK |
| NTD4959NT4G | MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA |
| NTD4960NT4G | MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK |
| NTD4965NT4G | MOSFET N-CH 30V 68A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4909NT4H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTD4910N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4910N-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 37A 9.0MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4910N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 37A 9.0MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4910NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 37A 9.0MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。