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参数资料
| 型号： | NTD4910NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 37A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1203pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.37W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD4910N
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
1
0.1
0.01
Duty Cycle = 50%
20%
10%
5%
2%
1%
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
Psi Tab ? A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. FET Thermal Response
70
60
50
40
30
20
10
V DS = 1.5 V
0
0
10
20
30
40
50
60
ID (A)
Figure 14. GFS vs. ID
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4913NT4G | MOSFET N-CH 30V 32A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4913N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 32 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4913N-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4913N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4913NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4959N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
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