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参数资料
| 型号： | NTD4913N-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1013pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.36W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD4913N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
C iss
C oss
C rss
15
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
25
30
15.0
13.5
12.0
10.5
9.0
7.5
6.0
4.5
3.0
1.5
0
0
1
T J = 25 ° C
Qgd
Qgs
2 3 4
5
6
QT
7
8
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
9 10 11 12 13 14 15
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
25
V GS = 0 V
100
t d(off)
t f
t r
20
15
10
t d(on)
10
T J = 125 ° C
5
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8 1.0
1.2
1000
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
25
20
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 21 A
10
1
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
15
10
5
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD4913N-1G | MOSFET N-CH 30V 32A IPAK |
| NTD4860NA-35G | MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED |
| B32620J392J289 | FILM CAP 0.0039UF 5% 1KV |
| B32620A3683J289 | FILM CAP 0.0680UF 5% 250V |
| B32562J6224J289 | FILM CAP 0.22UF 5% 400V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD4913NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4959N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
| NTD4959N-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4959N-35G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD4959NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK |
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