参数资料
型号: NTD4913N-35G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED
产品变化通告: Product Obsolescence 05/Oct/2010
标准包装: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10.5 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1013pF @ 15V
功率 - 最大: 1.36W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
NTD4913N
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
1
0.1
0.01
Duty Cycle = 50%
20%
10%
5%
2%
1%
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
Psi Tab ? A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. FET Thermal Response
45
40
35
30
25
20
15
10
5
V DS = 1.5 V
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
ID (A)
Figure 14. GFS vs. ID
http://onsemi.com
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PDF描述
NTD4913N-1G MOSFET N-CH 30V 32A IPAK
NTD4860NA-35G MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED
B32620J392J289 FILM CAP 0.0039UF 5% 1KV
B32620A3683J289 FILM CAP 0.0680UF 5% 250V
B32562J6224J289 FILM CAP 0.22UF 5% 400V
相关代理商/技术参数
参数描述
NTD4913NT4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 30V 32A 10.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4959N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
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