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参数资料
| 型号： | NTD50N03R-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 30A，11.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD50N03R
100
80
10 V
8V
7V
6V
5.5 V
5V
100
80
V DS ≥ 10 V
T J = ?55 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
60
40
4.5 V
4V
3.5 V
60
40
20
V GS = 2.6 V
2.8 V
3V
20
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.065
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.030
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.055
I D = 15 A
T J = 25 ° C
0.025
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.045
0.035
0.020
0.015
0.025
0.015
0.005
0.010
0.005
0
V GS = 10 V
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
20
30
40
50
2.0
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
10,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.8
I D = 10 A
V GS = 10 V
V GS = 0 V
1.6
T J = 150 ° C
1.4
1000
1.2
1.0
T J = 125 ° C
0.8
0.6
100
?50 ?25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUFA76419D3 | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK |
| CM6460R-225 | CHOKE COMMON MODE 2200.0UH SMD |
| NTD50N03R-1G | MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK |
| CM6460R-505 | CHOKE COMMON MODE 5000.0UH SMD |
| GLAA01A-Q07 | SWITCH ROTARY SIDE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD50N03RG | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD50N03RT4 | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD50N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5406N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N−Channel, DPAK |
| NTD5406NG | 功能描述:MOSFET NFET 40V HD3E RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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