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参数资料
| 型号： | NTD50N03R-35G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 30A，11.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD50N03R
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P ( pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD50N03R
NTD50N03RG
NTD50N03RT4
NTD50N03RT4G
NTD50N03R?1
NTD50N03R?1G
NTD50N03R?35
NTD50N03R?35G
Package
DPAK?3
DPAK?3
(Pb?Free)
DPAK?3
DPAK?3
(Pb?Free)
DPAK?3 Straight Lead
DPAK?3 Straight Lead
(Pb?Free)
DPAK?3 Straight Lead Trimmed
(3.5 ± 0.15 mm)
DPAK?3 Straight Lead Trimmed
(3.5 ± 0.15 mm)
Shipping ?
75 Units / Rail
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
75 Units / Rail
75 Units / Rail
75 Units / Rail
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| HUFA76419D3 | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD50N03RG | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD50N03RT4 | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD50N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5406N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N−Channel, DPAK |
| NTD5406NG | 功能描述:MOSFET NFET 40V HD3E RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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