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参数资料
| 型号： | NTD5406NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 70A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 32V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD5406N, STD5406N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
80
70
V GS = 7 V to 10 V
T J = 25 ° C
6V
80
70
V DS ≥ 10 V
60
50
40
5V
4.8 V
4.6 V
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
4.4 V
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
9 10
30
20
10
0
0
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
1 2 3
T J = ? 55 ° C
4 5
6 7
8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.03
0.025
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.020
0.018
0.016
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
0.02
0.014
0.012
0.015
0.01
0.010
0.008
0.006
V GS = 10 V
0.005
3
4
5
6
7
8
9
10
0.004
10
20
30
40
50
60
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2
1.8
I D = 10 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
1.6
1.4
1000
T J = 175 ° C
100
1.2
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCP1206H562G-H1 | CAP FILM 5600PF 50VDC 1206 |
| FCP1206H472G-H1 | CAP FILM 4700PF 50VDC 1206 |
| NTD4805NT4G | MOSFET N-CH 30V 12.7A DPAK |
| AS13AW | SW SLIDE SPDT .098" EXTENDED PC |
| FCP0805H101J | CAP FILM 100PF 50VDC 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5407N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N−Channel, DPAK |
| NTD5407NG | 功能描述:MOSFET NFET 40V 38A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5407NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 40V 38A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5413N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK |
| NTD5413NT4G | 功能描述:MOSFET 30A, 60V, 26mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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