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参数资料
| 型号： | NTD5406NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 70A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 32V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD5406N, STD5406N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCP1206H562G-H1 | CAP FILM 5600PF 50VDC 1206 |
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| NTD4805NT4G | MOSFET N-CH 30V 12.7A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5407N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N−Channel, DPAK |
| NTD5407NG | 功能描述:MOSFET NFET 40V 38A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5407NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 40V 38A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5413N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK |
| NTD5413NT4G | 功能描述:MOSFET 30A, 60V, 26mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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