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参数资料
| 型号： | NTD5865NL-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 40A 16MOHM IPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD5865NL-1G-ND NTD5865NL-1GOS |
NTD5865NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
80
70
60
V GS = 10 V
4.5 V
4V
3.8 V
3.6 V
T J = 25 ° C
80
70
60
V DS ≥ 10 V
50
50
40
3.4 V
40
30
20
3.2 V
3V
30
20
T J = 25 ° C
10
0
0
1
2
2.8 V
2.6 V
3
4
5
10
0
1
T J = 125 ° C
2
T J = ? 55 ° C
3
4
5
0.030
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
I D = 40 A
0.018
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.025
0.020
T J = 25 ° C
0.016
0.014
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.015
0.012
0.010
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.010
5
10
15
20
25
30
35
40
2.2
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current
2.0
1.8
I D = 38 A
V GS = 10 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1000
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150 175
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD5867NL-1G | MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM IPAK |
| NTD60N02RT4 | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
| NTD6414ANT4G | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
| NTD6415ANLT4G | MOSFET N-CH 100V 23A 56MOHM DPAK |
| NTD6415ANT4G | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5865NLT4G | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5865NT4G | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5867NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 60 V, 20 A, 39 m |
| NTD5867NL-1G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD5867NLT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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