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参数资料
| 型号： | NTD5867NL-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 18A 43MOHM IPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 675pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD5867NL-1G-ND NTD5867NL-1GOS |
NTD5867NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1000
900
800
700
600
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C iss
10
8
6
Q T
V GS
500
400
4
Q gs
Q gd
300
200
100
0
0
C rss
C oss
10
20
30
40
50
60
2
0
0
5
10
V DS = 48 V
I D = 20 A
T J = 25 ° C
15
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source Voltage vs.
Total Charge
1000
100
10
V DD = 48 V
I D = 20 A
V GS = 10 V
t f
t d(off)
t r
t d(on)
20
15
10
5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
10 m s
20
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 20 A
10
100 m s
15
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
10
5
25
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10
100
0
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD5867NLT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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