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参数资料
| 型号： | NTD60N02R |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD60N02R
TYPICAL CHARACTERISTICS
140
120
100
V GS = 10 V
8.0 V
6.0 V
4.2 V
T J = 25 ° C
5.0 V
4.5 V
120
100
80
V DS w 10 V
80
4.0 V
3.8 V
60
60
3.6 V
40
3.4 V
3.2 V
40
T J = 175 ° C
20
3.0 V
2.8 V
2.6 V
20
T J = 25 ° C
0
0
2
4
6
8
2.4 V
10
0
0
2
T J = ?55 ° C
4
6
8
0.05
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.05
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.04
0.03
0.02
0.01
I D = 62 A
T J = 25 ° C
0.04
0.03
0.02
0.01
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
140
2.0
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
100000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.8
1.6
I D = 31 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
1.4
1000
1.2
1.0
0.8
0.6
100
10
T J = 100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
6 12 18
24
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM6296R-154 | CHOKE COMMON MODE 150.0UH PARALL |
| CM6296R-105 | CHOKE COMMON MODE 1000.0UH PARAL |
| NTD5406NG | MOSFET N-CH 40V 70A DPAK |
| CM6296R-454 | CHOKE COMMON MODE 450.0UH PARALL |
| CM6296R-654 | CHOKE COMMON MODE 650.0UH PARALL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD60N02R-001 | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD60N02R-032 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
| NTD60N02R-032G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK |
| NTD60N02R-035 | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD60N02R-1G | 功能描述:MOSFET 25V 62A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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