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参数资料
| 型号： | NTD6414AN-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 32A IPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 37 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD6414AN-1G-ND NTD6414AN-1GOS |
NTD6414AN, NVD6414AN
TYPICAL CHARACTERISTICS
2800
2400
2000
1600
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
6
Q gs
V DS
Q T
Q gd
V GS
100
80
60
1200
800
4
40
400
0
0
C rss
C oss
20 40 60 80
100
2
0
0
5
10 15 20
25 30
I D = 32 A
T J = 25 ° C
35
20
0
40
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
V DS = 80 V
I D = 32 A
V GS = 10 V
35
30
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
100
t f
t r
25
20
10
t d(off)
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8
0.9
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
160
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
10 m s
140
I D = 32 A
10
100 m s
120
100
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
80
60
40
20
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10 100
1000
0
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST5ETW103 | TRIMMER 10K OHM 0.25W SMD |
| ST5ETX502 | TRIMMER 5K OHM 0.25W SMD |
| ST5ETP102 | TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD |
| DMM4P22K-F | CAP FILM 0.22UF 400VDC RADIAL |
| DMM2P68K-F | CAP FILM 0.68UF 250VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD6414ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6415AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mΩ |
| NTD6415AN-1G | 功能描述:MOSFET NFET IPAK 100V 22A 55MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6415ANL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 m??, Logic Level |
| NTD6415ANLT4G | 功能描述:MOSFET 100V HD3E NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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