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参数资料
| 型号： | NTD6416ANL-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 74 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 71W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD6416ANL-1G-ND NTD6416ANL-1GOS |
NTD6416ANL, NVD6416ANL
40
30
T J = 25 ° C
10 V
4.5 V
40
30
V DS w 10 V
3.6 V
20
20
10
3.2 V
3.0 V
10
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
2.8 V
V GS = 2.4 V
1 2 3 4
5
0
0
T J = ? 55 ° C
1 2 3 4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.11
0.1
0.09
0.08
I D = 19 A
T J = 25 ° C
0.080
0.075
0.070
0.065
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.060
0.07
0.055
0.06
2
4
6
8
10
0.050
2
6
10
14
18
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate ? To ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Region versus Drain Current and
Gate ? To ? Source Voltage
3
2.5
V GS = 10 V
I D = 19 A
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2
1.5
1
100
T J = 125 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
T J , JUNCTION TEMPERTURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drian ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD65N03RT4G | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTD6416ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6416ANT4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTD Series N-Channel 100 V 81 mOhm 71 W Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3 |
| NTD65N03R | 功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD65N03R-001 | 功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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