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参数资料
| 型号： | NTD6416ANL-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET IPAK-3 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 74 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 71W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD6416ANL-1G-ND NTD6416ANL-1GOS |
NTD6416ANL, NVD6416ANL
100
50% Duty Cycle
10
20%
10%
5%
1
2%
1%
P (pk)
R q JA (t) = r(t) R q JA
D CURVES APPLY FOR POWER
0.1
SINGLE PULSE
0.01
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.1 1
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JA (t)
10 100
1000
t, PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response (NTD6416ANL DPAK PCB Cu Area 720 mm 2 PCB Cu thk 2 oz)
ORDERING INFORMATION
NTD6416ANLT4G
NTD6416ANL ? 1G
NVD6416ANLT4G
Device
Package
DPAK
(Pb ? Free)
IPAK
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specification Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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参数描述 |
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| NTD65N03R-001 | 功能描述:MOSFET 25V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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