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参数资料
| 型号： | NTD65N03RT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.4 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD65N03R
140
120
10 V
7V
6V
T J = 25 ° C
4.5 V
140
120
V DS ≥ 10 V
100
80
60
5.5 V
5V
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
100
80
60
3.4 V
40
20
0
3.2 V
3V
2.8 V
40
20
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
0.03
0.026
0.022
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 10 V
0.03
0.026
0.022
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
0.018
0.018
T J = 150 ° C
0.014
0.01
0.006
0.002
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.014
0.01
0.006
0.002
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
120
140
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D = 30 A
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
V GS = 0 V
1.4
V GS = 10 V
T J = 150 ° C
1.2
1000
1.0
0.8
0.6
100
T J = 125 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD6600N-1G | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
| NTD70N03R-1G | MOSFET N-CH 25V 10A IPAK |
| NTD78N03T4G | MOSFET N-CHAN 25V 78A DPAK |
| NTD80N02-1G | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK |
| NTD85N02R-001 | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD6600N | 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6600N-001 | 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD6600N-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAK |
| NTD6600N-1G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 12A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTD6600NT4 | 功能描述:MOSFET 100V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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