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参数资料
| 型号： | NTD65N03RT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.4 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTD65N03R
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369D?01
ISSUE B
B
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
V
R
E
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
INCHES
MILLIMETERS
S
1
4
2
3
A
Z
DIM
A
B
C
D
MIN MAX
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
MIN MAX
5.97 6.35
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
E
0.018 0.023
0.46 0.58
?T?
SEATING
PLANE
K
F
G
H
J
K
R
0.037 0.045
0.090 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.350 0.380
0.180 0.215
0.94 1.14
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
8.89 9.65
4.45 5.45
F
J
H
S
V
Z
0.025 0.040
0.035 0.050
0.155 ???
0.63 1.01
0.89 1.27
3.93 ???
G
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
3 IPAK, STRAIGHT LEAD
CASE 369AC?01
ISSUE O
B
C
NOTES:
1.. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
V
R
E
2.. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. SEATING PLANE IS ON TOP OF
DAMBAR POSITION.
4. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE
DAMBAR POSITION OR MOLD GATE.
A
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
SEATING PLANE
W
K
A
B
C
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
5.97 6.22
6.35 6.73
2.19 2.38
F
G
D
3 PL
J
H
D
E
F
G
H
J
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.043
0.090 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.69 0.88
0.46 0.58
0.94 1.09
2.29 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
0.13 (0.005) W
K
R
V
W
0.134 0.142
0.180 0.215
0.035 0.050
0.000 0.010
3.40 3.60
4.57 5.46
0.89 1.27
0.000 0.25
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTD6600N-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 100 V, 12 A, N−Channel, Logic Level DPAK |
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