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参数资料
| 型号： | NTD80N02-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD80N02-1GOS |
NTD80N02
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Positive Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 Vdc, V DS = 24 Vdc)
(V GS = 0 Vdc, V DS = 24 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
24
?
?
?
?
27
25
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage (Note 3)
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Negative Threshold Temperature Coefficient
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance (Note 3)
(V GS = 10 Vdc, I D = 80 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 40 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 20 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 20 Adc)
Forward Transconductance (V DS = 15 Vdc, I D = 10 Adc) (Note 3)
V GS(th)
R DS(on)
g FS
1.0
?
?
?
?
?
1.9
? 3.8
5.0
7.5
5.0
7.5
20
3.0
?
5.8
9.0
5.8
9.0
?
Vdc
mV/ ° C
m Ω
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 20 Vdc,
V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
2250
900
400
2600
1100
525
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
(V GS = 4.5 Vdc,
V DD = 20 Vdc,
I D = 20 Adc,
R G = 2.5 Ω )
(V GS = 4.5 Vdc,
I D = 20 Adc,
V DS = 20 Vdc) (Note 3)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q T
Q1
Q2
?
?
?
?
?
?
?
17
67
28
40
30
7.0
18
30
125
45
75
42
12
28
ns
nC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward On ? Voltage
(I S = 20 Adc, V GS = 0 Vdc) (Note 3)
(I S = 40 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 20 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
V SD
?
?
?
0.92
1.05
0.70
1.2
?
?
Vdc
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 20 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s) (Note 3)
t rr
t a
t b
Q rr
?
?
?
?
38
20
18
0.038
52
?
?
?
ns
m C
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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