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参数资料
| 型号： | NTD80N02-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD80N02-1GOS |
NTD80N02
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
9V
8V
0.5
6.5 V
1
4.4 V
4.6 V
4.8 V
5V
5.2 V
6V
1.5
2
T J = 25 ° C
2.5
4.2 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
V GS = 3.0 V
3 3.5
4
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2
V DS ≥ 24 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.07
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.015
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.01
0.005
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
0
2
4
6
8
10
0
55
60
65
70
75
80
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
0.015
1000
V GS = 0 V
0.0125
0.01
I D = 80 A
V DS = 4.5 V
100
10
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.0075
0.005
0.0025
I D = 80 A
V DS = 10 V
1
0.1
T J = 25 ° C
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage
Current versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD80N02G | 功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD80N02T4 | 功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD80N02T4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD85N02R | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD85N02R-001 | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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