参数资料
型号: NTD80N02-1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
产品变化通告: Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.8 毫欧 @ 80A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 20V
功率 - 最大: 75W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: NTD80N02-1GOS
NTD80N02
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
100 m s
di/dt
10
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1 ms
10 ms
I S
t a
t rr
t b
TIME
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
t p
I S
0.25 I S
1
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1000
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
DUTY CYCLE
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
MOUNTED TO MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
100
10
0.2
0.1
0.05
0.02
D = 0.5
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R θ JA (t) = r(t) R θ JA
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T A = P (pk) R θ JA (t)
0.01
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (seconds)
Figure 13. Thermal Response ? Various Duty Cycles
ORDERING INFORMATION
Order Number
NTD80N02T4G
NTD80N02 ? 1G
Package
DPAK ? 3
(Pb ? Free)
DPAK ? 3 Straight Lead
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
75 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Spe-
cifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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NTD80N02G 功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD80N02T4 功能描述:MOSFET 24V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD80N02T4G 功能描述:MOSFET NFET DPAK 24V 80A 60mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD85N02R 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD85N02R-001 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube