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参数资料
| 型号： | NTD85N02R-001 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD85N02R-001OS |
NTD85N02R
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Junction?to?Case (Drain)
Junction?to?TAB (Drain)
Junction?to?Ambient – Steady State (Note 1)
Junction?to?Ambient – Steady State (Note 2)
Symbol
R q JC
R q JC?TAB
R q JA
R q JA
Value
1.6
3.5
52
100
Unit
° C/W
1. Surface?mounted on FR4 board using 1 sq?in pad, 1 oz Cu.
2. Surface?mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage
Drain?to?Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /
T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
24
28
20.5
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 24 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.5
10
m A
Gate?to?Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
V GS = V DS , I D = 250 m A
1.0
1.5
2.0
V
Negative Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH) /T J
4
mV/ ° C
Drain?to?Source on Resistance
R DS(ON)
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
I D = 20 A
I D = 20 A
4.8
6.5
5.2
m W
Forward Transconductance
g FS
V DS = 10 V, I D = 15 A
38
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
2050
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Gate?to?Source Charge
Gate?to?Drain Charge
Total Gate Charge
C OSS
C RSS
Q G(TOT)
Q G(TH)
Q GS
Q GD
Q G(TOT)
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = 20 V
V GS = 5.0 V, V DS = 10 V; I D = 10 A
V GS = 10 V, V DS = 10 V;
871
359
17.7
1.6
2.6
7.1
35.1
pF
nC
nC
I D = 10 A
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn?On Delay Time
t d(ON)
6.3
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 10 V, V DS = 10 V,
I D = 30 A, R G = 3.0 W
77
25
12
ns
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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