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参数资料
| 型号： | NTD85N02R-001 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD85N02R-001OS |
NTD85N02R
160
10 V
120
4.4 V
5V
6V
V GS = 4 V
3.8 V
3.6 V
160
120
V DS ≥ 10 V
3.4 V
80
40
0
3.2 V
3V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
80
40
0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = ?55 ° C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
0.018
0.014
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 10 V
0.018
0.014
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
0.010
T J = 125 ° C
0.010
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.006
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.006
T J = ?55 ° C
0.002
0
40
80
120
160
0.002
0
40
80
120
160
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
1.8
1.6
1.4
I D = 40 A
V GS = 10 V
100,000
10,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.0
0.8
0.6
1000
100
T J = 125 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD95N02RT4G | MOSFET N-CH 24V 12A DPAK |
| NTDV18N06LT4G | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| NTDV20N06T4G | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
| NTDV3055L104-1G | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK |
| NTDV5804NT4G | MOSFET N-CH 40V 69A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD85N02R-1G | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD85N02RG | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD85N02RT4 | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD85N02RT4G | 功能描述:MOSFET 24V 85A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD95N02R | 功能描述:MOSFET 24V 95A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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