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参数资料
| 型号： | NTD85N02R-001 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2050pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTD85N02R-001OS |
NTD85N02R
POWER MOSFET SWITCHING
4800
T J = 25 ° C
6
Q T
4000
C iss
V GS
3200
C rss
4
2400
1600
C iss
2
Q 1
Q 2
800
0
V DS = 0 V V GS = 0 V
C oss
C rss
0
I D = 10 A
T J = 25 ° C
10
5
0
5
10
15
20
0
4 8
12
16
20
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
80
Figure 8. Gate?To?Source and Drain?To?Source
Voltage versus Total Charge
70
60
V GS = 0 V
100
10
t r
t d(off)
t f
50
40
30
t d(on)
V DS = 10 V
20
1
I D = 40 A
V GS = 10 V
10
0
T J = 25 ° C
1
10
100
0
0.2 0.4
0.6 0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
1000
100
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
10 m s
100 m s
1 ms
10
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
dc
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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