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参数资料
| 型号： | NTE126 |
| 厂商： | NTE Electronics, Inc. |
| 英文描述： | Germanium Mesa Transistor, PNP, for High-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 梅萨锗晶体管，进步党高，高速转换应用 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 21K |
| 代理商： | NTE126 |
NTE126
Germanium Mesa Transistor, PNP,
for High–Speed Switching Applications
Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CE
Collector–Base Voltage, V
CB
Emitter–Base Voltage, V
EB
Total Device Dissipation (T
A
= +25
°
C), P
D
Derate above 25
°
C
Total Device Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate above 25
°
C
Operating Junction Temperature Range, T
J
Storage Junction Temperature Range, T
stg
15Vdc
15Vdc
2.5Vdc
150mW
2.0mW/
°
C
300mW
4.0mW/
°
C
–65
°
to +100
°
C
–65
°
to +100
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Collector–Base Breakdown Voltage
(I
C
= 100
μ
Adc, I
E
= 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(I
E
= 100
μ
Adc, I
C
= 0)
Collector–Latch–Up Voltage
(V
CC
= 11.5 Vdc)
Collector–Emitter Cutoff Current
(V
CE
= 15Vdc)
Collector–Base Cutoff Current
(V
CB
= 6Vdc, I
E
= 0)
DC Current Gain
(I
C
= 10mAdc, V
CE
= 0.3Vdc)
(I
C
= 50mAdc, V
CE
= 1Vdc)
(I
C
= 100mAdc, V
CE
= 1Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 10mAdc, I
B
= 1mAdc)
(I
C
= 50mAdc, I
B
= 5mAdc)
(I
C
= 100mAdc, I
B
= 10mAdc)
BV
CBO
15
–
Vdc
BV
EBO
2.5
–
Vdc
LV
CEX
11.5
–
Vdc
I
CES
–
100
μ
Adc
I
CBO
–
3.0
μ
Adc
h
FE
40
40
40
–
–
–
–
V
CE(sat)
–
–
–
0.18
0.35
0.60
Vdc
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