参数资料
型号: NTE312
厂商: NTE Electronics, Inc.
英文描述: N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor
中文描述: N沟道硅结型场效应晶体管
文件页数: 3/3页
文件大小: 24K
代理商: NTE312
.021 (.445) Dia Max
G S D
Seating Plane
.135 (3.45) Min
.100 (2.54)
.050 (1.27)
.105 (2.67) Max
.105 (2.67) Max
.205 (5.2) Max
.210
(5.33)
Max
.500
(12.7)
Min
.165
(4.2)
Max
NOTE:
Drain and Source are interchangeable.
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PDF描述
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