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参数资料
| 型号： | NTE4153NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC-89 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 915mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.82nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-89，SOT-490 |
| 供应商设备封装： | SC-89-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTE4153NT1GOSDKR |
NTA4153N, NTE4153N
PACKAGE DIMENSIONS
SC?75/SOT?416
CASE 463?01
ISSUE F
?E?
2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
b 3 PL
0.20 (0.008)
M
D
3
1
e
?D?
H E
0.20 (0.008) E
DIM
A
A1
b
C
D
E
MILLIMETERS
MIN NOM MAX
0.70 0.80 0.90
0.00 0.05 0.10
0.15 0.20 0.30
0.10 0.15 0.25
1.55 1.60 1.65
0.70 0.80 0.90
MIN
0.027
0.000
0.006
0.004
0.059
0.027
INCHES
NOM
0.031
0.002
0.008
0.006
0.063
0.031
MAX
0.035
0.004
0.012
0.010
0.067
0.035
e
1.00 BSC
0.04 BSC
L
H E
0.10 0.15 0.20
1.50 1.60 1.70
0.004 0.006
0.061 0.063
0.008
0.065
C
L
A
A1
SOLDERING FOOTPRINT*
0.356
0.014
1.803
0.787
0.071
0.031
0.508
1.000
0.020
0.039
SCALE 10:1
STYLE 5:
PIN 1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
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