NTE5470 thru 5476
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
5 Amp
Description:
The NTE5470 through NTE5476 are multi–purpose PNPN silicon controlled rectifiers in a TO64 type
stud mount package suitable for industrial and consumer applications.
Features:
Uniform Low–Level Noise–Immune Gate Triggering
Low Forward “ON” Voltage
High Surge–Current Capability
Absolute Maximum Ratings:
(Apply over operating temperature range unless otherwise specified)
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (Note 1), V
DRM
, V
RRM
NTE5470
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NTE5471
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NTE5472
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NTE5473
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NTE5474
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NTE5475
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NTE5476
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Forward Current RMS, I
T
RMS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Surge Current (One Cycle, 60Hz, T
J
= –40
°
to +100
°
C), I
TSM
Circuit Fusing (T
J
= –40
°
to +100
°
C, t
≤
8.3ms), I
2
t
Peak Gate Power, P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power, P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Current, I
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Voltage (Note 2), V
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case, R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Stud Torque
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50V
100V
200V
300V
400V
500V
600V
8A
100A
. . . . . . . . . . . . . .
40A
2
sec
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5W
0.5W
2A
10V
–40
°
to +100
°
C
–40
°
to +150
°
C
2.5
°
C/W
15 in. lb.
Note 1. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for blocking
capability in a manner such that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.
Note 2. Devices should not be operated with a positive bias applied to the gate concurrently with a
negative potential applied to the anode.